ntel un Micron Technology kopuzņēmums - IM Flash Technologies (IMFT) paziņojis par nozarē pirmā 16 GB daudzlīmeņu (MLC) NAND-atmiņas kristāla izveidi. Savienojot 8 tādus kristālus uz vienas pamatnes, iegūstam naga lieluma 128 GB zibatmiņas mikroshēmu.
Jaunums kļuva iespējams, pateicoties 20 nm tehnoloģiskajam procesam, kas ļāva dubultot informācijas ieraksta blīvumu uz 1 mm2. Bez tam mikroshēmās lietota novatoriska planārā struktūra un Hi-K Metal Gate tehnoloģija tranzistoru parazītisko noplūdes strāvu samazināšanai.
Mikroshēmas atbilst ONFI 3.0 specifikācijām un uzrāda ātrumu 333 MT/s (Megatransfer jeb elementāro ievades-izvades operāciju skaits sekundē). Sagaidāms, ka iespaidīgā apjoma zibatmiņas jau nākamgad redzēsim viedtālruņos un planšetdatoros, kā arī rūpnieciskajās ierīcēs. No šādām mikroshēmām iespējams arī izgatavot līdz 2 TB SSD standarta 2,5" formfaktorā. Jau 2012. gada janvārī IMTF plāno izlaist pirmās 16 GB kristālu testa partijas.
Attēlā: 128 GB zibatmiņas kristāls
Izstrādāta miniatūra 128 GB zibatmiņa5
124
3